ON Semiconductor 2N5962

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

hFEMin

600

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低噪音

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

基本部件号

2N5962

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

600 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

2nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 500μA, 10mA

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

8V

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅