ON Semiconductor 2N6338

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

-65°C~200°C TJ

包装

Tray

已出版

2009

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

200W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

25A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N6338

引脚数量

2

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

40MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.8V

最大集电极电流

25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10A 2V

最大集极截止电流

50μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.8V @ 2.5A, 25A

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅