ON Semiconductor 2N6517G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

2N6517

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 5mA, 50mA

转换频率

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

350V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅