ON Semiconductor 2N7000RLRAG

生命周期状态

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触点镀层

Copper, Silver, Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Tc

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

5Ohm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

60V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

60V

栅源电压

3 V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

4.318mm

长度

4.445mm

宽度

3.175mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅