ON Semiconductor 2N7002
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2N7002
1807-2N7002
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
--最小包装量--
2N7002详情
ON Semiconductor 2N7002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
115mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
200mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
5.3Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
115mA
基本部件号
2N7002
电压
60V
元素配置
Single
电流
115mA
功率耗散
200mW
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
115mA
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
双电源电压
60V
输入电容
50pF
漏源电阻
1.2Ohm
最大rds
7.5 Ω
栅源电压
2.1 V
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
3.05mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7002拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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