2N7002
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ON Semiconductor 2N7002

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型号

2N7002

utmel 编号

1807-2N7002

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

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2N7002 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

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2N7002详情

ON Semiconductor 2N7002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23 (TO-236AB)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    115mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    200mW Ta

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电阻

    5.3Ohm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 额定电流

    115mA

  • 基本部件号

    2N7002

  • 电压

    60V

  • 元素配置

    Single

  • 电流

    115mA

  • 功率耗散

    200mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    115mA

  • 阈值电压

    2.1V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 双电源电压

    60V

  • 输入电容

    50pF

  • 漏源电阻

    1.2Ohm

  • 最大rds

    7.5 Ω

  • 栅源电压

    2.1 V

  • 高度

    930μm

  • 长度

    2.92mm

  • 宽度

    3.05mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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