ON Semiconductor 2N7002ET1G

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260mA Ta

Turn Off Delay Time

4.8 ns

Power Dissipation (Max)

300mW Tj

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

已出版

2007

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

1.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 240mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

26.7pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.81nC @ 5V

上升时间

1.2ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

1.2 ns

连续放电电流(ID)

310mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.26A

漏源击穿电压

60V

栅源电压

1 V

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

高度

940μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅