ON Semiconductor NTR5103NT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300mW Ta

Turn Off Delay Time

4.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300mW

接通延迟时间

1.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 240mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.81nC @ 5V

上升时间

1.2ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

3.6 ns

连续放电电流(ID)

260mA

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.26A

漏源击穿电压

60V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

1.11mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅