ON Semiconductor 2SA1020G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

70

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

900mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2SA1020

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅