ON Semiconductor 2SA1507T

安装类型

通孔

表面安装

NO

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.5A

hFEMin

100

Number of Elements

1

已出版

2010

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

最大功率耗散

1.5W

端子位置

SINGLE

频率

120MHz

引脚数量

3

配置

SINGLE

功率耗散

1.5W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

120MHz

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

无铅

无铅