ON Semiconductor 2SA733P

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

hFEMin

90

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

频率

50MHz

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅