ON Semiconductor 2SC3503CSTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

7W

频率

150MHz

基本部件号

2SC3503

元素配置

Single

功率耗散

7W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 2mA, 20mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

300V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准