对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | Collector-Emitter Saturation Voltage | Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP) | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 频率 | 频率稳定性 | 基本部件号 | 输出量 | 功能 | 基本谐振器 | 最大电流源 | 极性 | 元素配置 | 扩频带宽 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce | 最大集极截止电流 | 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 最高频率 | 转换频率 | 最大击穿电压 | 频率转换 | 集电极基极电压(VCBO) | 发射极基极电压 (VEBO) | 绝对牵引范围 (APR) | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | RoHS状态 | 无铅 | 评级结果 | ||||||||
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2SD1207S | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | 3-MP | 2A | 150°C TJ | Bulk | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1W | NPN | 140 @ 100mA 2V | 100nA ICBO | 400mV @ 50mA, 1A | 50V | 150MHz | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SD1207S | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body | NO | 3 | SILICON | 150mV | 1W | 150MHz | 1 | 140 | 50V | 2A | 150°C TJ | Bulk | 2008 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni) | 8541.29.00.75 | BOTTOM | 2SD1207 | Single | SWITCHING | NPN | NPN | 50V | 2A | 140 @ 100mA 2V | 100nA ICBO | 400mV @ 50mA, 1A | 150MHz | 60V | 6V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1207S-AE | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | 3-MP | 2A | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | 1W | NPN | 100 @ 100mA 2V | 100nA ICBO | 400mV @ 50mA, 1A | 50V | 150MHz | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SD1207S-AE | Sanyo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | 3-MP | Strip | 活跃 | 2 A | 2SD1207 | SiTime | -20°C ~ 70°C | SiT8208 | 0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm) | XO (Standard) | 2.8V | 74.175824 MHz | ±50ppm | LVCMOS, LVTTL | Enable/Disable | MEMS | 33mA | - | 1 W | NPN | 100 @ 100mA, 2V | 100nA (ICBO) | 400mV @ 50mA, 1A | 50 V | 150MHz | - | 0.031 (0.80mm) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1207S-AE | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | 3 | 3-MP | 150mV | 50V | 150MHz | 1W | 2A | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 2SD1207 | NPN | Single | 1W | NPN | 50V | 2A | 100 @ 100mA 2V | 100nA ICBO | 400mV @ 50mA, 1A | 50V | 1MHz | 50V | 150MHz | 60V | 6V | 8.5mm | 6mm | 4.7mm | 符合RoHS标准 | 无铅 |
2SD1207S
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2SD1207S
ON Semiconductor
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2SD1207S-AE
Rochester Electronics, LLC
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2SD1207S-AE
Sanyo
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2SD1207S-AE
ON Semiconductor
分类:Transistors - Bipolar (BJT) - Single


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