ON Semiconductor 2SD1207S-AE

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

引脚数

3

供应商器件包装

3-MP

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

150mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

2SD1207

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

1W

增益带宽积

150MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最高频率

1MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

8.5mm

长度

6mm

宽度

4.7mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅