ON Semiconductor 2SD1207U

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.75

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

基本部件号

2SD1207

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

280 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 1A

转换频率

150MHz

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅