ON Semiconductor 2SD1618S-TD-E

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

38 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

Number of Elements

1

hFEMin

140

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

最大功率耗散

500mW

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

引脚数量

3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15V

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

140 @ 50mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

80mV @ 10mA, 100mA

转换频率

250MHz

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅