2V7002LT3G
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ON Semiconductor 2V7002LT3G

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型号

2V7002LT3G

utmel 编号

1807-2V7002LT3G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O

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2V7002LT3G
2V7002LT3G ON Semiconductor MOSFET NFET 60V 115MA 7.5O

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2V7002LT3G详情

ON Semiconductor 2V7002LT3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    115mA Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    225mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    40 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2007

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    300mW

  • 接通延迟时间

    20 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.5 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V @ 250μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    115mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • DS 击穿电压-最小值

    60V

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    5 pF

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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