ON Semiconductor 3LP01C-TB-H

工厂交货时间

8 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

250mW Ta

Turn Off Delay Time

120 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA Ta

Number of Elements

1

已出版

2000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Bismuth (Sn/Bi)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.4 Ω @ 50mA, 4V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7.5pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.43nC @ 10V

上升时间

55ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

130 ns

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅