ON Semiconductor 3SK263-5-TG-E
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3SK263-5-TG-E
1807-3SK263-5-TG-E
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
TO-253-4, TO-253AA
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MOSFET N-CH 15V 30MA CP4
1最小包装量--
3SK263-5-TG-E详情
ON Semiconductor 3SK263-5-TG-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
包装/外壳
TO-253-4, TO-253AA
引脚数
4
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200mW
额定电流
30mA
频率
200MHz
引脚数量
4
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
测试电流
10mA
漏源电压 (Vdss)
15V
晶体管类型
N-Channel Dual Gate
连续放电电流(ID)
30mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
增益
21dB
噪声图
2.2dB
电压-测试
6V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
3SK263-5-TG-E拓展信息
ON Semiconductor
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