3SK264-5-TG-E
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ON Semiconductor 3SK264-5-TG-E

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型号

3SK264-5-TG-E

utmel 编号

1807-3SK264-5-TG-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 射频

封装

TO-253-4, TO-253AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans JFET N-CH 15V 30mA 4-Pin(3 Tab) CP T/R

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3SK264-5-TG-E
3SK264-5-TG-E ON Semiconductor Trans JFET N-CH 15V 30mA 4-Pin(3 Tab) CP T/R

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3SK264-5-TG-E详情

ON Semiconductor 3SK264-5-TG-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)

  • 触点镀层

    Tin

  • 包装/外壳

    TO-253-4, TO-253AA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    4

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    125°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 额定电流

    30mA

  • 频率

    200MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    200mW

  • 测试电流

    10mA

  • 漏源电压 (Vdss)

    15V

  • 晶体管类型

    N-Channel Dual Gate

  • 连续放电电流(ID)

    30mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 增益

    23dB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.03A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 噪声图

    2.2dB

  • 电压-测试

    6V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor 3SK264-5-TG-E.

3SK264-5-TG-E拓展信息

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