ON Semiconductor 4N25TM

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

快速切换

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

4N25

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

电压-隔离度

7500Vpk

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.18V

箱体转运

DRAIN

输入类型

DC

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

44A

漏极-源极导通最大电阻

0.069Ohm

DS 击穿电压-最小值

250V

最大直流驱动电流（If）

60mA

雪崩能量等级（Eas）

2055 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

307W

接通 / 关断时间（典型值）

2μs, 2μs

Vce 饱和度（最大值）

500mV