ON Semiconductor 4N30

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

4N30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

电压-隔离度

5300Vrms

输出类型

带底座的达林顿

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

箱体转运

DRAIN

输入类型

DC

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263

漏极-源极导通最大电阻

0.29Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56A

DS 击穿电压-最小值

300V

最大直流驱动电流（If）

80mA

雪崩能量等级（Eas）

330 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 40μs (Max)

Vce 饱和度（最大值）

1V