ON Semiconductor 4N33M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

质量

855mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

500% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

250mW

基本部件号

4N33

电压-隔离度

4170Vrms

输出电压

60V

输出类型

带底座的达林顿

极性

NPN

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

80mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

150mA

上升时间

5μs

正向电压

1.5V

下降时间（典型值）

100 μs

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

150mA

反向击穿电压

3V

最大输入电流

80mA

最大直流驱动电流（If）

80mA

输入电流

80mA

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 100μs (Max)

Vce 饱和度（最大值）

1V

反向电压(直流电)

3V

高度

5.08mm

长度

8.89mm

宽度

6.6mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅