ON Semiconductor 4N35TVM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

质量

864mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL RECOGNIZED, VDE APPROVED

最大功率耗散

250mW

基本部件号

4N35

电压-隔离度

4170Vrms

输出电压

30V

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.18V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

60mA

最大输出电压

30V

上升时间

2μs

下降时间（典型值）

2 μs

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

反向击穿电压

6V

最大输入电流

60mA

接通 / 关断时间（典型值）

2μs, 2μs

电流传输比

100%

暗电流（最大）

50nA

高度

5.08mm

长度

8.89mm

宽度

6.6mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅