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价格梯度

内地含税价

1

￥37.113347
10

￥35.012595
100

￥33.030745
500

￥31.161082
1000

￥29.397245

ON Semiconductor AFGHL75T65SQ

Name: AFGHL75T65SQ
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-AFGHL75T65SQ
Price: 37.11 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

AFGHL75T65SQ

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-AFGHL75T65SQ

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistor IGBT N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

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AFGHL75T65SQ ON Semiconductor Transistor IGBT N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube

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AFGHL75T65SQ详情

技术参数

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ON Semiconductor AFGHL75T65SQ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-247-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-247-3
Maximum Gate Emitter Voltage

±20V
Package Type

TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage

650 V
MSL

MSL 1 - Unlimited
Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6V
Pd - Power Dissipation

375 W
Maximum Operating Temperature

+ 175 C
Minimum Operating Temperature

- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

30
Continuous Collector Current at 25 C

80 A
Mounting Styles

通孔
Manufacturer

onsemi
Brand

onsemi
RoHS

Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max

650 V
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

80 A
Base Product Number

AFGHL75
厂商

onsemi
Product Status

活跃
Test Conditions

400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

Automotive, AEC-Q101
子类别

IGBTs
技术

Si
引脚数量

3
配置

Single
功率耗散

375W
输入类型

Standard
功率 - 最大

375 W
产品类别

IGBT晶体管
电压 - 集射极击穿（最大值）

650 V
信道型

N
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A
连续集电极电流

75A
IGBT类型

沟渠现场停车
闸门收费

139 nC
集极脉冲电流（Icm）

300 A
Td（开/关）@25°C

25ns/106ns
开关能量

1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
产品类别

IGBT晶体管

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