ON Semiconductor BAS116LT1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

0.225W

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2009

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

低漏电流

HTS代码

8541.10.00.70

电容量

2pF

电压 - 额定直流

75V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BAS116

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

5nA @ 75V

输出电流

200mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 150mA

最大反向漏电电流

5nA

最大浪涌电流

500mA

平均整流电流（Io）

200mA DC

正向电压

1.25V

最大反向电压（DC）

75V

平均整流电流

200mA

反向恢复时间

3 μs

电容@Vr, F

2pF @ 0V 1MHz

峰值非恢复性浪涌电流

500mA

最大非代表Pk前进电流

0.5A

恢复时间

3 μs

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅