ON Semiconductor BAS16LT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-23-3 (TO-236)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

BAS16

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

BAS16LT1

Power Dissipation (Max)

0.225 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS INC

Risk Rank

5.63

Part Package Code

SOT-23

包装

Cut Tape (CT)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

200 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

Standard

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

1 µA @ 75 V

功率耗散

225 mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25 V @ 150 mA

正向电流

200 mA

最大反向漏电电流

1 µA

最大浪涌电流

500 mA

输出电流-最大值

0.2 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

75 V

平均整流电流（Io）

200mA

最大反向电压（DC）

75 V

平均整流电流

200 mA

反向恢复时间

6 ns

峰值反向电流

1 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

75 V

Rep Pk反向电压-最大值

75 V

JEDEC-95代码

TO-236AB

电容@Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

恢复时间

6 ns

反向恢复时间-最大值

0.006 µs

反向恢复时间(trr)

6 ns

无铅

含铅