ON Semiconductor BAS21DW5T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

表面安装

YES

引脚数

5

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Cut Tape (CT)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电容量

5pF

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BAS21DW5

引脚数量

5

资历状况

不合格

元素配置

Dual

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Standard

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 200V

功率耗散

385mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 200mA

正向电流

200mA

最大反向漏电电流

100nA

工作温度 - 结点

150°C Max

最大浪涌电流

625mA

输出电流-最大值

0.2A

无卤素

无卤素

平均整流电流（Io）

200mA DC

正向电压

1.25V

最大反向电压（DC）

250V

平均整流电流

200mA

反向恢复时间

50 ns

最大重复反向电压(Vrrm)

250V

峰值非恢复性浪涌电流

625mA

二极管配置

2 Independent

最大正向浪涌电流（Ifsm）

625mA

恢复时间

50 ns

反向测试电压

200V

高度

1mm

长度

2.2mm

宽度

1.35mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅