ON Semiconductor BC237B

底架

通孔

包装/外壳

TO-92-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW

hFEMin

200

包装

Bulk

已出版

2002

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

45V

额定电流

100mA

频率

250MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500mW

增益带宽积

200MHz

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

100mA

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅