ON Semiconductor BC32825_J35Z
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BC32825_J35Z
1807-BC32825_J35Z
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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TRANS PNP 25V 0.8A TO-92
1最小包装量--
BC32825_J35Z详情
ON Semiconductor BC32825_J35Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
安装类型
通孔
底架
通孔
触点镀层
Copper, Silver, Tin
引脚数
3
hFEMin
160
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25V
包装
Bulk
操作温度
150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
625mW
频率
100MHz
基本部件号
BC328
元素配置
Single
功率耗散
625mW
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
25V
最大集电极电流
800mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
160 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
700mV @ 50mA, 500mA
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
BC32825_J35Z拓展信息
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