ON Semiconductor BC337

生命周期状态

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触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

通孔

包装/外壳

TO-92

引脚数

3

质量

200mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Frequency(Max)

100MHz

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625mW

hFEMin

100

包装

Bulk

已出版

2009

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

45V

额定电流

800mA

频率

210MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

增益带宽积

210MHz

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

800mA

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

4.58mm

长度

4.58mm

宽度

3.86mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅