ON Semiconductor BC373G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Number of Elements

1

hFEMin

8000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC373

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.1V @ 250μA, 250mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

1A

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅