ON Semiconductor BC516

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

200.005886mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

30000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BC516

资历状况

不合格

极性

PNP

电压

30V

元素配置

Single

电流

4A

功率耗散

625mW

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30000 @ 20mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 100μA, 100mA

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

1A

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅