ON Semiconductor BC635

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

hFEMin

40

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

1W

Number of Elements

1

已出版

2002

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

45V

额定电流

1A

频率

100MHz

基本部件号

BC635

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45V

最高频率

100MHz

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

4.19mm

高度

5.33mm

长度

5.2mm

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅