ON Semiconductor BC847S
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BC847S
1807-BC847S
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
--最小包装量--
BC847S详情
ON Semiconductor BC847S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
51 Weeks
触点镀层
Tin
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
质量
28mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
650mV
hFEMin
110
Number of Elements
2
已出版
2000
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
45V
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
200mA
频率
200MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC847S
资历状况
不合格
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
200MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
110 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
BC847S拓展信息
ON Semiconductor
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