ON Semiconductor FFB3946

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

2

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

额定电流

200mA

频率

200MHz

基本部件号

FFB3946

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 1mA, 10mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

关断时间-最大值（toff)

300ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

高度

1mm

长度

2mm

宽度

1.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅