ON Semiconductor BC857S

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

6

质量

28mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

125

Number of Elements

2

Collector-Emitter Saturation Voltage

650mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

已出版

2017

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

额定电流

-200mA

频率

200MHz

基本部件号

BC857

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

300mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

250MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

125 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

200MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

宽度

1.25mm

长度

2mm

高度

1mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅