ON Semiconductor BC858BLT3

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Base Product Number

BC858

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650 mV

hFEMin

150

Voltage Rating (DC)

-30 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC858BLT3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.01

Part Package Code

SOT-23

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

-100 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-45 V

最大集电极电流

100 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

连续集电极电流

-100 mA

集电极-发射器电压-最大值

30 V

无铅

含铅