ON Semiconductor BC858CDXV6T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

Number of Elements

2

hFEMin

420

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-100mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC858CDXV6

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

30V

集电极基极电压(VCBO)

30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

600μm

长度

1.7mm

宽度

1.3mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅