ON Semiconductor BC859CLT1G

生命周期状态

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包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

hFEMin

420

Number of Elements

1

已出版

2005

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-100mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC859

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

300mW

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅