ON Semiconductor BD243CTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

6A

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

65W

额定电流

6A

基本部件号

BD243

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

65W

功率 - 最大

65W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

6A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 3A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 6A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅