ON Semiconductor BD437T

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

36W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BD437

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 300mA, 3A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅