ON Semiconductor BD677
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BD677
1807-BD677
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
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TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
--最小包装量--
BD677详情
ON Semiconductor BD677重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-225AA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Current-Collector (Ic) (Max)
4A
hFEMin
750
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
最大功率耗散
40W
额定电流
4A
基本部件号
BD677
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
40W
功率 - 最大
40W
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
2.5V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 1.5A 3V
最大集极截止电流
500μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
2.5V @ 30mA, 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
集电极基极电压(VCBO)
60V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
连续集电极电流
4A
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
BD677拓展信息
ON Semiconductor
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