ON Semiconductor BD682TG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

40W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

-4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BD682

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

40W

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 1.5A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 30mA, 1.5A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅