ON Semiconductor BDC01DRL1

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92 (TO-226)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Non-Compliant

Collector-Emitter Saturation Voltage

700 mV

hFEMin

40

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

CASE 29-10, TO-226AA, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 29-10

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Manufacturer Part Number

BDC01DRL1

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-92

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

欧洲零件号

最大功率耗散

1 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

COMMERCIAL

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 100mA, 1V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-92

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

25

连续集电极电流

500 mA

集电极-发射器电压-最大值

100 V