ON Semiconductor BDC01DRL1G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

欧洲零件号

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1W

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

500mA

频率

50MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 100mA, 1A

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅