ON Semiconductor BF720T3G
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BF720T3G
1807-BF720T3G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS NPN 300V 0.1A SOT-223
--最小包装量--
BF720T3G详情
ON Semiconductor BF720T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
600mV
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
300V
最大功率耗散
1.5W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BF720
引脚数量
4
资历状况
不合格
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
增益带宽积
60MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
600mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 25mA 20V
最大集极截止电流
10nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 30mA
转换频率
60MHz
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BF720T3G拓展信息
ON Semiconductor
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