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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.194937
10
¥9.617868
100
¥9.073459
500
¥8.559869
1000
¥8.075342
ON Semiconductor BFL4026-1E
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- 对比
BFL4026-1E
1807-BFL4026-1E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-220FI(LS) Magazine
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¥
总价: ¥
BFL4026-1E详情
ON Semiconductor BFL4026-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2W Ta 35W Tc
Turn Off Delay Time
117 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.6 Ω @ 2.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
650pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
37ns
漏源电压 (Vdss)
900V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
39 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10A
DS 击穿电压-最小值
900V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BFL4026-1E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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