BFL4026-1E
BFL4026-1E

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ON Semiconductor BFL4026-1E

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型号

BFL4026-1E

utmel 编号

1807-BFL4026-1E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3 Full Pack

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-220FI(LS) Magazine

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BFL4026-1E
BFL4026-1E ON Semiconductor Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3 Tab) TO-220FI(LS) Magazine

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BFL4026-1E详情

ON Semiconductor BFL4026-1E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

  • 工厂交货时间

    2 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3 Full Pack

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.5A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    2W Ta 35W Tc

  • Turn Off Delay Time

    117 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2012

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 接通延迟时间

    14 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.6 Ω @ 2.5A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    650pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    33nC @ 10V

  • 上升时间

    37ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    900V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    39 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.5A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    10A

  • DS 击穿电压-最小值

    900V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor BFL4026-1E.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & BFL4026-1E相似的参数规格。

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