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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.236534
10
¥5.883524
100
¥5.550496
500
¥5.236313
1000
¥4.93992
ON Semiconductor FQPF4N90CT
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- 对比
FQPF4N90CT
1807-FQPF4N90CT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
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MOSFET 900V, 4A, NCH MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FQPF4N90CT详情
ON Semiconductor FQPF4N90CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
质量
2.27g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Turn Off Delay Time
40 ns
Power Dissipation (Max)
47W Tc
Number of Elements
1
系列
QFET®
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
47W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2 Ω @ 2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
960pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
22nC @ 10V
上升时间
50ns
漏源电压 (Vdss)
900V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
4A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
FQPF4N90CT拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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