ON Semiconductor BSP52T3
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BSP52T3
1807-BSP52T3
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
1最小包装量--
BSP52T3详情
ON Semiconductor BSP52T3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
800mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BSP52
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
1.3V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 500mA 10V
最大集极截止电流
10μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.3V @ 500μA, 500mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
BSP52T3拓展信息
ON Semiconductor
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